Tìm kiếm nâng cao

Số truy cập:

Công nghệ vật liệu bán dẫn mới

  
Dạng tài liệu : Bài trích bản tin
Ngôn ngữ tài liệu : vie
Tên nguồn trích : Tri thức và phát triển
Dữ liệu nguồn trích : 2006/Số 52/TIN NGẮN:
Đề mục : 45.09 Vật liệu kỹ thuật điện
Từ khoá : Công nghệ Vật liệu
Nội dung:
Theo dự báo, các bóng bán dẫn silic, vốn là những linh kiện cực kỳ quan trọng đối với các thiết bị điện tử như máy nghe nhạc iPod, điện thoại di động và các thiết bị dân dụng, sẽ đạt ngưỡng về kích thước và hiệu suất trong vòng từ 10 đến 15 năm tới. Bởi vậy Viện Công nghệ Massachusetts (MIT) đã cùng với các tổ chức nghiên cứu khác đang tìm cách đưa ra những vật liệu mới, với hy vọng giữ được nhịp độ gia tăng tốc độ xử lý trong các bóng bán dẫn.
Một trong những vật liệu dạng này là hợp chất indium gallium arsenide (InGaAs), một vật liệu có thể dẫn điện nhanh hơn nhiều lần so với silic. Phòng thí nghiệm Công nghệ hệ thống siêu nhỏ (MTL) của MIT gần đây đã giới thiệu một loại bóng bán dẫn được chế tạo từ InGaAs có thể dẫn điện với tốc độ nhanh hơn 2,5 lần so với những thiết bị silic tiên tiến nhất hiện nay. Loại bóng bán dẫn này chỉ có kích thước 60 nano.
Với loại bóng bán dẫn này, ngành công nghiệp điện tử có thể sản xuất được những thiết bị nhỏ hơn và có khả năng xử lý thông tin nhanh hơn.
Ông Jesus del Alamo, Giáo sư của MTL nói: "Hằng ngày, mỗi người trong chúng ta đều cần tới sự hoạt động của hàng tỷ bóng bán dẫn trong các máy điện thoại di động, máy tính xách tay, máy nghe nhạc iPod, xe hơi, nhà bếp, v.v… Chúng tôi đang tìm kiếm những vật liệu bán dẫn mới để sản xuất các bóng bán dẫn có hiệu suất cao hơn nhưng kích thước lại ngày càng nhỏ hơn".
Tuy nhiên, các nhà nghiên cứu vẫn phải tìm cách vượt qua một số thách thức. Thí dụ, InGaAs thường dễ nứt vỡ hơn so với silic, bởi vậy việc chế tạo các bóng bán dẫn bằng vật liệu này với số lượng lớn có thể sẽ rất khó khăn. Bởi vậy, ông del Alamo cho rằng ít nhất cũng phải 2 năm nữa thì người ta mới có thể chế tạo thành công mẫu thiết bị sử dụng bóng bán dẫn InGaAs.
Intel, một trong những nhà tài trợ cho Phòng thí nghiệm MTL cũng hết sức hoan nghênh thành quả nghiên cứu mới này. Ông Robert Chau, giám đốc nghiên cứu bóng bán dẫn và công nghệ nano của Intel nói: "Công trình nghiên cứu về bóng bán dẫn InGaAs 60nm mà nhóm nghiên cứu của Giáo sư del Alamo thực hiện, đã mang lại những kết quả hết sức hấp dẫn với khả năng tiêu thụ điện năng thấp và là một cột mốc nghiên cứu cực kỳ quan trọng".
Nguồn: Technology, 12/2006

 
Trung tâm Thông tin Khoa học Công nghệ Quốc gia